2亿元战略融资，夯实国产陶瓷基板新支柱

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国家战略材料赛道，氮化物陶瓷加快国产化替代

氮化铝（AlN）、氮化硅（Si₃N₄）等氮化物陶瓷，作为新一代电子封装、散热基板、功率器件、IGBT模块以及高频器件核心材料，正成为半导体、新能源、高端装备制造等战略产业不可或缺的“基础支撑”。在高热导、高绝缘、高机械强度等综合性能要求下， 氮化物陶瓷成为打破国外垄断、提升产业链自主可控能力的关键材料之一 。

中材高新氮化物陶瓷有限公司系中国建材集团旗下专注氮化物材料研发与制造的重要平台企业。依托中材高新材料股份有限公司深厚的技术底蕴，公司围绕氮化铝基板、氮化硅陶瓷、氮化物粉体等关键产品，构建了完整的研发—中试—量产体系，已具备较强的规模化能力。

此次获得产业资本青睐，不仅体现了市场对其技术路线的高度认可，也为其快速扩大产能、布局上下游协同提供了强力支撑。值得关注的是，本轮投资方分别来自材料与高端装备两大产业链条：

中建材（安徽）新材料基金 背靠央企资源，是推动新材料产业投资落地的“国家队力量”；

中车高新投资 则聚焦于轨道交通、电力电子、新能源装备等新兴应用，对氮化物陶瓷的散热与电绝缘特性有迫切需求。

这也意味着中材高新的氮化物材料技术与产能正在获得 下游应用场景的强绑定 ，为未来大规模产业化铺平了道路。

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关于“中材高新”

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关于“氮化硅基板”

现有陶瓷基板中， Si ₃ N ₄ 为当前陶瓷基板最佳材料，配套SiC的首选。氮化硅陶资基片弹性模量 320GPa，热膨胀系数仅3.0x10 ^-6 /C，介电常数9.4，具备硬度高机械强度高，耐高温、热稳定性好、耐磨损耐腐蚀性能优异，是综合性能最好的陶瓷材料，在IGBT模块封装赢得青睐，并逐步替代氧化铝和氮化铝。同时由于Si ₃ N ₄ 陶瓷基板热膨胀系数与SiC衬底接近，能与其稳定匹配，成为SiC功率器件用封装基板的首选。

中材高新氮化物陶资有限公司突破了高导热Si ₃ N ₄ 基板制备的技术关键和工程化技术问题，建立起年产10万片(114mmx114mm)中试生产线，并建设年产200t高端Si3N制品项目，填补国内空白。

在2023年全球Si ₃ N ₄ 陶瓷基板(白板)市场销售额达到了2亿美元，预计2030年将达到20亿美元，年复合增长率达30%。国外核心企业包括日本电气化学、东芝和丸和等，占全球90%的份额。 国内中材高新、威海圆环、浙江正天等企业已开始批量生产 高导热Si ₃ N ₄ 陶瓷基板。 _{按产品类型拆分，0.32 mm 厚度的基板是最大的细分市场，接近90 %，最大的应用市场是电动汽车。}

在半导体国产化、第三代功率器件封装国产替代、新能源电动化加速的浪潮中，氮化物陶瓷作为核心材料正站上风口。此次中材高新完成2亿元战略融资，背后不仅是资本加持，更是 国家战略、产业协同与材料突破的集中体现 。氮化硅陶瓷基板作为下一代封装核心材料之一，或将在 未来五年内迎来爆发式成长 。