2026-01-29

江苏芯长征微电子集团股份有限公司成立于2017年3月17日。
公司总部位于南京市江宁区,注册地址为南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室,这种差异可能源于统计口径不同或公司近年快速扩张。
公司经营范围广泛,涵盖集成电路设计、电子元器件制造、电子测量仪器制造、仪器仪表制造、信息系统集成服务、物联网技术服务、软件开发等多个领域,芯长征致力于成为功率半导体领域的创新引领者,通过自主可控的技术研发和产业化能力,为新能源、工控和消费电子领域提供高性能功率半导体解决方案。
芯长征微电子的核心产品线可分为三大系列:硅基芯片及模组系列、第三代半导体芯片及模组系列(SiC、GaN)以及功率器件检测装备。
在硅基产品方面,公司提供IGBT、CoolMOS(超质结场效晶体管)、IPM、SJ MOSFET、Trench MOSFET、VD MOSFET、FRD等系列产品,显示出公司在新能源领域的市场渗透力。
第三代半导体产品方面,公司重点布局碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。其SiC系列产品性能已达到国际第六代与第七代之间水平。公司开发的1200V 660A SiC塑封半桥模块(MPFFB660M12L3)采用第三代SiC MOSFET芯片技术,高温导通损耗较市场同类产品降低15%【数字产业地图】,广泛应用于新能源汽车和重卡领域。这些高性能SiC产品解决了电动汽车和工业应用中高温、高功率密度场景下的能效和可靠性问题。
功率器件检测装备是公司另一重要业务板块,为客户提供功率半导体器件智能检测完整解决方案,显著提升了IGBT器件在高温环境下的性能稳定性,为产品质量控制提供了有力工具。
从应用场景看,公司产品覆盖650V-1700V全电压段,满足不同领域需求:新能源汽车主驱功率模块、光伏逆变器及储能变流器专用模块、工业变频器与伺服系统器件,以及家电等消费类小型化低功耗模块【数字产业地图】。这种全电压、全场景的产品布局使公司能够为客户提供一站式功率半导体解决方案。
芯长征微电子在功率半导体领域建立了坚实的技术壁垒,这主要体现在以下几个方面:
首先,公司掌握了全压段芯片设计及关键工艺技术,实现了从芯片设计、制造工艺、封测到可靠性的全链条技术贯通。
其次,公司在知识产权方面成果丰硕。截至最新数据,公司已申请各项知识产权164项,包括:授权国际专利1项,国家发明专利27项,实用新型专利49项,外观专利7项,计算机软件著作66项,集成电路布图14项。
具体来看,公司多项专利技术具有行业领先性。例如,“高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法”专利(授权公告号CN114695556B)提升了碳化硅功率器件的可靠性。这些专利技术构成了公司产品的核心竞争力。
此外,公司2019年完成中高端模块自有产线建设,具备模块自主设计及制造能力。这种从芯片设计到模块封装的垂直整合能力,使公司能够更好地控制产品质量和供应链安全。
芯长征微电子采用Virtual-IDM(虚拟垂直整合制造)商业模式。这种模式既减轻了资本开支压力,又保持了产业链关键环节的自主可控。
公司已形成芯片设计、模块封装、检测设备自主可控的垂直产业链,实现功率半导体全产业链布局。这种布局使公司能够提供从芯片到系统的一站式解决方案,增强客户黏性。
盈利模式方面,公司主要通过IGBT模块设计、封装、测试代工等业务实现盈利,显示出对这些高增长领域的战略聚焦。
市场策略上,产品主要采用直销模式,面向新能源、工控和消费类领域客户。这种聚焦头部客户的策略有助于建立行业标杆案例,带动更广泛的市场认可。
与传统功率半导体企业相比,芯长征的商业模式具有以下差异化优势:(1)轻资产的Virtual-IDM模式降低了资本密集度;(2)全产业链布局增强供应链安全性;(3)检测设备业务提供额外增值服务;(4)聚焦高增长的新能源汽车和光伏市场。这些特点使公司在激烈的行业竞争中形成了独特的价值定位。
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