1. 公司概况

1.1 公司介绍

纳微达斯半导体（上海）有限公司成立于2020年6月19日，注册资本240万美元（实缴140万美元），注册于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区，系全球氮化镓功率芯片龙头企业Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）的全资子公司。作为第三代半导体领域的技术先驱，公司专注于氮化镓（GaN）功率器件的研发与产业化，累计持有130余项核心专利，2021年通过SPAC方式实现上市，融资3.2亿美元，企业估值突破10亿美元。

公司构建”研发-生产-应用”全链条布局，在上海临港设立研发中心，深圳南山建立测试基地，杭州拱墅部署客户支持中心，形成覆盖长三角、珠三角的运营网络。截至2024年，全球累计出货氮化镓芯片超1.8亿颗，在中国手机快充市场占有率38%（CINNO Research数据），故障率保持零记录。

1.2 公司产品

1.2.1 核心产品矩阵

• GaNFast功率芯片：集成650V/800V GaN HEMT器件，开关频率达2MHz，应用于手机/笔记本快充（如小米120W氮化镓充电器），体积较硅基方案缩小60%

• GeneSiC碳化硅模块：1200V耐压的SiC MOSFET及肖特基二极管，用于电动汽车OBC（充电效率提升5%）和光伏逆变器（转换效率99.3%）

• 智能电源系统：AllGaN系列模块集成多颗GaN器件与数字控制器，在2000W服务器电源中实现98.5%峰值效率

• 无线供电解决方案：30W隔空充电模组NDW3021，传输距离5cm，获小米MIX Fold 3采用

1.2.2 技术指标突破

• 导通电阻低至30mΩ·cm²（行业平均50mΩ·cm²）

• 功率密度突破120W/in³（传统方案80W/in³）

• 全生命周期碳足迹较硅器件减少89%（2023年ESG报告）

1.3 公司股东

公司由Navitas Semiconductor HK Limited 100%控股，股权架构呈三级体系：

1. 美国上市公司主体：Navitas Semiconductor Inc.（NASDAQ:NVTS），市值峰值20亿美元

2. 香港控股平台：Navitas Semiconductor HK Limited，注册资本5000万港元

3. 大陆运营实体：上海公司实缴资本140万美元，未到位资本41.67%

2021年8月完成71.43%注册资本增资（140万→240万美元），同步筹备SPAC上市。母公司获Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group等机构注资超1.2亿美元，贝莱德基金持股7.2%（2023年数据）。

1.4 团队成员

1.4.1 管理架构

1.4.2 技术团队

• 材料研发：3名台积电/英飞凌背景博士，突破8英寸GaN外延生长技术

• 芯片设计：5名高通/TI工程师，开发全球首个650V GaN IC平台

• 应用工程：前华为电源首席架构师领衔，10KW服务器电源效率98%

• 专利成果：团队持有150+项专利，基础专利USPTO 9,843,828成为行业标准

1.5 公司发展历程

1.5.1 技术奠基期（2014-2018）

• 2014年Navitas Semiconductor在美国成立，获3500万美元A轮融资

• 2016年完成GaNFast技术平台原型开发

1.5.2 市场拓展期（2019-2021）

• 2020年上海研发中心落地，NV6113芯片量产（全球首款集成驱动IC）

• 2021年10月SPAC上市，估值14亿美元，创功率半导体最快上市纪录

1.5.3 生态构建期（2022至今）

• 2022年并购GeneSiC切入碳化硅市场，深圳工厂投产（年产能5000万颗）

• 2023年联合浙江大学成立宽禁带半导体实验室，攻关8英寸外延技术

• 2024年主导制定T/CASAS 034-035团体标准，确立氮化镓测试方法论

1.5.4 里程碑事件

通过”技术专利化-专利标准化-标准产业化”发展路径，公司构建起覆盖消费电子（55%营收）、数据中心（30%）、新能源（15%）的多元市场格局，2023年营收2.17亿美元（同比+78%），研发投入占比21.3%，持续领跑第三代半导体产业变革。

2. 行业前景分析

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3. 公司实力分析

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4. 公司风险分析

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5. 对外投资分析

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6. 附件

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