2025-10-01
镓特半导体科技（铜陵）有限公司成立于2017年11月3日，注册资本4.2亿元人民币，位于国家级铜陵经济技术开发区天门山北道3139号。作为一家专注于第三代半导体材料研发与制造的高新技术企业，公司由北大青鸟集团投资设立，是国内少数掌握大尺寸氮化镓（GaN）衬底自主生产技术的企业之一。
公司的核心竞争力体现在三个方面：首先在技术层面，自主研发的氢化物气相外延（HVPE）设备及工艺技术填补了国内空白，实现了4英寸氮化镓衬底的量产能力，位错密度控制在10^6 cm^-2量级，技术指标达到国际先进水平；其次在产能方面，占地50亩的生产基地配备40余台HVPE设备，年产能达3.6万片，是国内最大的自支撑氮化镓衬底制造基地；最后在产业链价值方面，产品广泛应用于5G基站、新能源汽车、快充等高端领域，打破了日本、美国企业的市场垄断。
公司已获得”高新技术企业”、“专精特新企业”等资质认证，拥有45项发明和实用新型专利，核心技术团队由留美归国博士领衔，包括诺奖得主中村修二的学生等13位半导体专家。作为铜陵市重点招商引资项目，其发展得到地方政府在土地、税收等方面的大力支持。
公司核心产品线包括三大类：
采用HVPE技术生产的4英寸自支撑氮化镓晶圆片，主要技术参数达到：厚度800μm、位错密度≤1×10^6 cm-2、弯曲度<0.1mm、晶格半高宽20arcsec、电阻率>109Ω·cm（半绝缘型）。相较传统的蓝宝石或碳化硅衬底，具有更优的晶格匹配度和热导率，特别适合制造高功率器件。
通过自主研发的厚膜衬底制备技术、自剥离工艺、减薄切割和研磨抛光工艺，生产出表面粗糙度<0.3nm的标准化晶圆片产品。目前4英寸产品已实现量产，6英寸产品进入试制阶段，主要供应给功率器件和射频器件制造商。
公司自主设计制造的氢化物气相外延设备，采用内部热补偿装置（专利号ZL202322094564.1），可实现反应室温度梯度控制在±1℃以内，生长速率达50-100μm/h，设备国产化率超过80%，大幅降低了生产成本。
产品应用领域覆盖：
电力电子：新能源汽车逆变器、工业电机驱动
微波射频：5G基站功率放大器、卫星通信器件
光电子：紫外激光器、Mini/Micro LED显示
国防军工：相控阵雷达、电子对抗系统
| 序号 | 股东名称 | 持股比例 | 认缴出资额(万元) | 认缴出资日期 | 间接持股比例 | 首次持股日期 | 关联机构 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 北大青鸟铜陵半导体产业投资基金（有限合伙） | 71.4286% | 30,000 | 2027-11-03 | - | - | 菡萏资产管理 |
| 2 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 28.5714% | 12,000 | 2027-11-03 | 35.7143% | 2017-12-31 | 镓特半导体集团 |
公司股权呈现”产业资本+技术团队”的双轮驱动特征。控股股东北大青鸟基金作为专业半导体产业投资基金，通过菡萏资产进行管理，提供资金和产业链资源支持。第二大股东镓特半导体上海公司作为技术载体，其35.7143%的间接持股主要来自创始人李起鸣博士（持股7%）及其他核心技术人员，这种架构既保障了研发决策的专业性，又实现了资本与技术的有效协同。
值得注意的是，所有股东认缴出资均约定在2027年11月3日（公司成立十周年时）完成，这种分期注资安排既减轻了股东短期资金压力，也反映出投资方对公司长期发展的信心。通过股权穿透可见，最终受益人为李起鸣（通过上海公司间接持股13.16%）和Troy J. Baker博士（间接持股5.64%），体现了国际化研发团队的核心权益。
公司核心团队构成具有”学术+产业”的复合背景：
李起鸣（法定代表人/董事长）：留美归国博士，前美国Sandia国家实验室终身科学家，美国电子材料学会特约分会主席，主导开发了多项GaN材料专利技术。
汤金祥（董事兼总经理）：拥有20年半导体行业经验，曾任职于中芯国际、华虹集团，擅长晶圆制造工艺优化和量产管理。
伦伟（董事/实际控制人）：北大青鸟投资委员会成员，负责战略投资和资本运作。
Troy J. Baker博士（首席科学家）：诺贝尔物理学奖得主中村修二弟子，专长氮化物半导体外延生长技术。
周琛（研发总监）：中科院半导体所博士，主持国家”863计划”GaN材料专项。
其他9名核心工程师：平均从业年限15年，覆盖晶体生长、设备设计、检测分析等全技术链。
团队已累计发表SCI论文47篇，获得发明专利28项，其中”一种用于激光器的低位错GaN衬底制备方法”（ZL201810539214.7）获中国专利优秀奖。这种由学术带头人、产业专家和资深工程师组成的金字塔型人才结构，保障了公司从技术研发到产业化的高效转化能力。
公司关键技术突破与产能建设主要经历以下里程碑：
2015年：李起鸣博士团队在美国完成HVPE设备原型机开发
2016年：实验室阶段实现2英寸GaN衬底小批量试制
2017.11：铜陵公司注册成立，获北大青鸟首期投资1.4亿元
2018.06：建成首条中试生产线
2019.03：4英寸衬底良率突破70%
2020.12：通过IATF16949汽车级质量认证
2021.05：二期工厂投产，年产能提升至1.8万片
2022.09：完成A轮融资，估值达25亿元
2023.11：获安徽省科技进步一等奖
2024.04：发布6英寸GaN衬底样品
2025.03：建成第三代半导体材料检测中心
2025.09：启动科创板IPO辅导备案
从技术发展路径看，公司坚持”设备自研→工艺优化→产能爬坡”的渐进式创新策略，每18个月完成一次技术迭代。产能从2018年的3000片/年增长至2025年的3.6万片/年，复合增长率达62%，展现出强劲的产业化能力。当前正在建设的第三代半导体产业园，预计2026年投产后将实现年产10万片的生产规模。
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