1 公司概况

1.1 公司介绍

苏州纳维科技有限公司（以下简称”纳维科技”）成立于2007年5月，是一家依托中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的高科技企业，专注于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化。公司总部位于江苏省苏州市工业园区，注册资本6045.1971万元人民币，实缴资本5909.7714万元人民币，是国家高新技术企业和专精特新企业。

氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优异特性，被认为是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料。与传统半导体材料相比，氮化镓器件能够在更高电压、更高频率和更高温度下工作，在功率电子、5G通信、激光显示等领域具有广阔应用前景。

纳维科技的核心竞争力体现在三个方面：首先，公司拥有从材料生长设备自主研发到氮化镓单晶衬底产业化的完整技术链；其次，公司率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产，完成了4英寸产品的工程化技术开发，并突破了6英寸产品的关键核心技术；最后，公司是国内唯一能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业，产品性能综合指标达到国际领先水平。

公司总部大楼位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。纳维科技的产品用户覆盖了国内外80%以上的研发机构和企业，为氮化物半导体产业的发展做出了重要贡献。

1.2 公司产品

纳维科技的主要产品线围绕氮化镓单晶衬底展开，具体包括以下几类：

1. 2英寸GaN厚膜衬底：厚度在15~50微米之间，位错密度为10E7/cm²量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型。这类产品主要用于科研机构的基础研究和企业的初期产品开发。

2. 2英寸氮化镓自支撑衬底：厚度为0.25mm，Ga面位错腐蚀坑密度为10E6/cm²量级，同样分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型。自支撑衬底是指不依赖异质衬底（如蓝宝石、碳化硅等）独立存在的氮化镓单晶片，具有更好的晶体质量和热导率。

3. 小尺寸方形氮化镓衬底：边长在1~2cm之间，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，可提供单面或双面抛光处理。这类产品主要用于特殊器件的研发和小批量生产。

4. 小尺寸非极性面氮化镓衬底：包括a面和m面两种取向。传统氮化镓器件通常生长在极性c面上，而非极性面氮化镓可以消除量子限制斯塔克效应，提高发光器件的效率。

5. 高结晶度氮化镓粉体材料：用于MOCVD（金属有机化学气相沉积）等外延生长的原料，具有高纯度和良好的结晶性。

6. 图形蓝宝石衬底（PSS）：通过在蓝宝石衬底表面制作微纳结构，可以提高LED的光提取效率。虽然这不是氮化镓衬底，但也是公司产品线的重要组成部分。

这些产品广泛应用于LED照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车和5G通信等领域。例如，在5G通信基站中，基于氮化镓的射频器件可以实现更高的功率密度和效率；在新能源汽车中，氮化镓功率器件可以显著提高电能转换效率并减小系统体积。

1.3 公司股东

根据工商登记信息，苏州纳维科技有限公司共有31位股东，持股比例较为分散。以下是主要股东信息：

从股权结构来看，纳维科技的股东主要由以下几类构成：

1. 创始人团队：以徐科为代表的创始人团队通过直接持股和持股平台（如纳禾晶瑞、纳禾科技）合计持有约30%的股份，保持了对公司的实际控制权。

2. 国有资本：包括中新苏州工业园区创业投资有限公司（元禾控股旗下）、苏州市科技创新创业投资有限公司等，合计持股约15%，体现了地方政府对半导体产业的支持。

3. 专业投资机构：包括荷塘创投、协立投资、赛富投资基金、鑫迪投资等知名投资机构，这些机构大多是在公司B轮（2016年）及以后的融资中进入的。

4. 产业资本：如国科兴和旗下的多只基金，这些产业资本不仅提供资金支持，还能带来产业资源和协同效应。

值得注意的是，公司的股权结构呈现出明显的”多轮融资”特征，从天使轮（2008年）到最近的E+轮（2025年），几乎每2-3年就有一轮融资，反映了半导体材料行业研发周期长、资金需求大的特点。同时，随着公司发展，股东数量不断增加，但创始人团队通过持股平台保持了相对集中的控制权，有利于公司长期稳定发展。

1.4 团队成员

纳维科技的核心团队由半导体材料领域的资深专家组成，他们在氮化镓材料生长、设备研发和产业化方面具有丰富经验：

创始人兼董事长：徐科

1970年出生于内蒙古，中科院上海光学精密机械研究所博士，研究员、博士生导师。曾在日本从事博士后研究，2004-2006年任教于北京大学物理学院，2006年加入中科院苏州纳米所，任测试分析平台主任至今。徐科博士是国家杰出青年基金获得者，中国电子学会电子材料专业委员会副主任委员，在氮化镓材料领域发表了100多篇学术论文，拥有50多项发明专利。他带领团队攻克了氮化镓单晶生长的一系列关键技术难题，实现了从实验室研发到产业化的跨越。

总经理：王建峰

1979年10月出生，2001年获武汉大学学士学位，2006年获武汉大学与中科院半导体所联合培养博士学位。王博士长期从事GaN单晶衬底的制备及产业化开发，创新性地在HVPE（氢化物气相外延）设备中引入在位光学监控系统，实现了生长速度和应力的实时监控。作为项目负责人，他主持了多项国家863计划项目、国际合作项目和自然科学基金项目，申报核心专利20余项。在材料生长机理和缺陷控制方面有深入研究，推动了公司产品的性能提升和工程化应用。

研发团队：

纳维科技的研发团队由材料科学家、设备工程师和工艺工程师组成，其中博士和硕士占比超过60%。团队核心成员大多来自中科院、北京大学等知名科研院所，在晶体生长理论、设备设计、工艺优化等方面具有互补的专业背景。例如：

• 材料科学家团队专注于氮化镓单晶的生长机理研究，通过理论计算和实验验证优化生长参数；

• 设备工程师团队负责HVPE等关键设备的自主研发和改进，实现了设备的国产化；

• 工艺工程师团队致力于将实验室成果转化为规模化生产，提高产品的一致性和良率。

生产运营团队：

由具有半导体制造经验的专业人士组成，负责从晶体生长、切割、抛光到检测的全流程生产管理。团队建立了严格的质量控制体系，确保产品性能的稳定性和可靠性。

市场团队：

深入了解半导体产业链需求，能够为客户提供专业的技术支持和定制化解决方案。团队积极拓展国内外市场，客户覆盖了从科研院所到产业龙头企业的广泛群体。

1.5 公司发展历程

纳维科技的发展历程反映了中国第三代半导体材料从实验室研发到产业化的典型路径：

技术积累期（2007-2012年）：

• 2007年5月：公司成立，依托中科院苏州纳米所的技术积累，专注于氮化镓单晶衬底研发。

• 2008年4月：完成天使轮融资，投资方包括元禾控股、苏州科技创投等，资金主要用于基础研发。

• 2010年：推出自主研发的氮化镓晶片，成为全球第7家、中国首个具备氮化镓晶片生产能力的公司。

产业化突破期（2013-2017年）：

• 2013年：实现2英寸氮化镓单晶衬底的小批量生产，产品开始供应科研机构和领先企业。

• 2014年6月：完成A轮融资，投资方包括元禾原点等，资金用于扩大研发团队和初步产能建设。

• 2016年8月：完成B轮融资，协立投资、高新投资等机构加入，推动4英寸产品工程化开发。

• 2017年：完成4英寸氮化镓单晶衬底的工程化技术开发，产品性能达到国际先进水平。

快速发展期（2018-2023年）：

• 2020年4月：对外投资成立上海镓旦电子信息有限公司，拓展下游应用。

• 2020年12月：完成C轮融资，荷塘创投、鑫迪投资等机构投资，加速产业化进程。

• 2021年：总部大楼在苏州纳米城奠基，规划建设国际一流的研发和生产基地。

• 2022年6月：完成D轮融资，赛富投资基金等知名机构加入，支持6英寸产品研发。

• 2023年7月：完成D+轮融资，突破6英寸氮化镓单晶衬底关键技术。

全面扩张期（2024年至今）：

• 2024年10月：完成E轮融资，长江资本、中科神光等产业资本进入。

• 2025年4月：完成E+轮融资，领军创投等机构投资，推动大规模产业化。

• 2025年：预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片，成为国际领先的氮化镓材料供应商。

经过18年的发展，纳维科技已经从一家科研背景的初创企业成长为第三代半导体材料领域的领军企业，产品广泛应用于节能照明、激光显示、5G通信、智能电网和新能源汽车等领域，为中国半导体产业的自主可控做出了重要贡献。

2. 行业前景分析

请登录申请下载全部数据！

3. 公司实力分析

请登录申请下载全部数据！

4. 公司风险分析

请登录申请下载全部数据！

5. 对外投资分析

请登录申请下载全部数据！

6. 附件

请登录申请下载全部数据！